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1500V 高压 MOS 分立器件 ◆导通电阻低；
◆开关速度快；
◆雪崩耐量高；
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RC (逆导) IGBT 分立器件 ◆IGBT/FWD集于同一芯片；
◆通态压降低；
◆可靠性高；
◆成本低；
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M3i-低饱和压降型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技术；
◆软开通特性，开通 di/dt 。珽MI 低；
◆低饱和压降，导通损耗小；
◆关断拖尾电流。砉囟咸匦裕
◆正温度系数，适合并联；
◆高的短路电流能力(6us以上)；
◆开关速度快，开关损耗。
◆TVj max 达175℃；
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GTU-快速型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技术；
◆软开通特性，开通 di/dt 。珽MI 低；
◆关速度快，关损耗小
◆关断拖尾电流。砉囟咸匦裕
◆正温度系数，适合并联；
◆高的短路电流能力(6us以上)；
◆开关速度快，开关损耗。
◆TVj max 达175℃；
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